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Samsung e SK hynix hanno presentato al SEDEX 2026 di Seul le rispettive memorie HBM4E, settima generazione di memoria ad alta banda per acceleratori di intelligenza artificiale. Il debutto evidenzia come la richiesta di memoria stia diventando un nodo centrale nello sviluppo dell'hardware per l'AI.
Samsung ha mostrato nuove tecnologie di memoria: zHBM, zNAND-O e V10 BV-NAND. SK hynix ha invece svelato HBF, sigla che indica High Bandwidth Flash. Le novità riguardano il settore dello storage e delle memorie ad alte prestazioni.
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