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Samsung sta sviluppando zHBM, una nuova architettura di memoria che prevede di impilare gli stack DRAM direttamente sopra gli acceleratori per l’intelligenza artificiale. La tecnologia è stata presentata all’interno di una roadmap in tre fasi, con l’obiettivo di evolvere il rapporto tra memoria e chip dedicati ai carichi AI.
Un test su un server Dell PowerEdge con doppio AMD EPYC 9655 analizza come cambia la velocità passando da 4 a 24 moduli DDR5-6400 RDIMM. L’obiettivo è misurare il compromesso tra costi della memoria e prestazioni, in un contesto in cui i server moderni offrono fino a 12 canali per socket. I risultati si basano su oltre 250 benchmark.
Samsung ha mostrato nuove tecnologie di memoria: zHBM, zNAND-O e V10 BV-NAND. SK hynix ha invece svelato HBF, sigla che indica High Bandwidth Flash. Le novità riguardano il settore dello storage e delle memorie ad alte prestazioni.
Un progetto artigianale ha trasformato una chiavetta USB in un dispositivo da 8 byte basato su memoria a nuclei magnetici, una tecnologia dell’epoca Apollo. L’idea nasce come curiosa risposta ai rincari della RAM, riportando in chiave moderna un sistema di archiviazione storico.
JEDEC ha approvato SPHBM4, un nuovo standard pensato per rendere più accessibile la memoria ad alta banda impiegata negli acceleratori per l’intelligenza artificiale e nel calcolo HPC. La novità punta quindi a ridurre i costi di una componente chiave per i sistemi destinati ai carichi di lavoro più avanzati.
Una nuova ricerca mostra che lo stress acuto può interferire con i meccanismi cerebrali legati alla memoria. L’effetto non riguarda solo il ricordo delle informazioni, ma può compromettere anche la capacità di fare inferenze.
Nel report trimestrale Apple, l’amministratore delegato Tim Cook ha avvertito che i vincoli sulla disponibilità di memoria potrebbero proseguire anche nei prossimi trimestri. Il gruppo ha indicato che valuterà una gamma di opzioni per affrontare la situazione.
the Index è stato creato da Fabio Mosti
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